取りあえず、配線作業を終えて、組み立てが完了しました。
ということで、今日は最終のパワー測定までの写真を中心に、アップしていきます。
配線作業 & 仕上げ
終段の MOSFET IRF530N は取り付け前にチェックです。
2個とも、OK でした。
MOSFET のヒートシンクへの取り付けは、下から、
- 絶縁シート
- MOSFET IRF530N
- ブッシング
- 3M ワッシャ
- 3M スプリングワッシャ
- 3M ネジ
の順に取り付けました。
ここで注意することとしては、MOSFET の IRF530N の放熱版はドレインになっているので、ゼッタイにグランドと共通になっちゃダメということで、これがショート状態になったら MOSFET は一瞬でオシャカになるので、うっかり忘れることがないように、特に注意して取り付ける必要があります。
IRF530N のピン配置
IRF530N DataSheet
配線メモ
ケース内の配線はこんな感じになりました。
ちなみに、バイアス電圧は 2.7V に設定しました。
(ここの半固定抵抗が壊れそうで、もう、これ以上バイアス電圧は弄りたくないのがホンネです。)
底面に、ゴム足を取り付け。
テプラでラベリングして、全体的にこんな感じになりました。
電源 ON で、青色の LED が点灯します。
PTT の ON で、赤色の LED が点灯します。
この状態でムセンキが送信状態になると、出力はアンプされます。
パワー測定
とりあえず今日のところは QCX を使って7メガだけを確認してみました。
QCX とリニアアンプの電源は 13.8V に設定し、ダミーロードを付けて測定しました。
まず、QCX の出力、4.38W を確認。
(このリニアアンプの最大入力は 5W です。)
リニアアンプの出力は 51.2W でした。
ヒートシンクの大きさもこんなもんだし、ケース自体も小さいこともあって、熱が中に籠りそうなので、まぁ 50W 程度でいいんじゃないかって思っています。
スプリアス測定
tinySA を使って、この7メガだけを調べてみました。
リニアアンプの出力を 60dB 減衰させて、tinySA へ入力しました。
1MHz ~ 50MHz
こ、これは酷いというか。。。もう、このままゴミ箱へ捨てるレベルの悪さです。。。
このまま対策もせずに使ったら・・・スプラッター発生器製造の罪でハム界から追放されちゃいますよ。
1MHz ~ 350MHz
というように、スプリアスが激悪で。。。
もう今日のところは、ムセンキを変えてまで他の周波数を試験するような、そんな気力をすっかり無くしてしまいました。
そもそも、このリニアアンプの基板には LPF が挿入できるように端子が付いているんですが、それをムシ(LPF は外付けするつもりでいました)して製作し、そしてスプリアスを調べてるんですから、無謀というか、中途半端というか、そりゃスプリアスが出まくりますよね。
さてさて、LPF でどこまで低減できるやら・・・
まだまだ、このリニアと戯れないといけないみたいです。